|
|
|
Polski Serwis Naukowy - OnLine od 1999 roku
 RSS
Dodaj do:
Warto przeczytać: Naukowcom ze Szwecji udało się opracować wzmacniacz optyczny potrafiący wzmacniać światło przy radykalnie niskim poziomie szumu. Badania, których wyniki zaprezentowano w czasopiśmie Nature Photonics, zostały częściowo dofinansowane z pr... Odkrycia dokonane w ramach finansowanych ze środków unijnych badań naukowych nad zmiennością genetyczną w kontekście badań krwi mogą pomóc w lepszym zrozumieniu powiązań z niektórymi powszechnymi chorobami człowieka. Kilka tysięcy osób było zaangażowanych w ... Urodzony w 1766 r. w Eaglesfieid, Cumbria (Anglia). Angielski fizyk i chemik, twórca nowożytnej atomistyki. Ogłosił, że materia zbudowana jest z atomów.
Zmarł w 1844 r., w wieku 77 lat.
MajÄ…c zaledwie 1... John Frederick William Herschel (ur. 7 marca 1792 w Slough (Anglia), zm. 11 maja 1871 w Collingwood w hrabstwie Kent) – angielski astronom, chemik i fizyk, syn Mary Pitt i Williama Herschela.
Studiował as... Unia Europejska ma zaszczyt ogłosić, że dwóch z jej grantobiorców, profesor Konstantin Novoselov i profesor Andre Geim z Uniwersytetu w Manchesterze w Wlk. Brytanii, otrzymało Nagrodę Nobla w dziedzinie fizyki za przełomowe prace nad dwuwymiarowym grafenem.
Profesor Novoselov wraz ze swoim kole...
Ostatnio na Forum:
Dyskusje
8
odp.
4
odp. Reklama:
 TranzystorTo hasło encyklopedii posiada podstrony: 1 [2],[3] Czy wiesz że...? Patent – potocznie: dokument wydawany przez urzędy patentowe; właściwie: prawo wydane osobie fizycznej lub prawnej do zabronienia innym osobom fizycznym lub prawnym zarobkowego bądź zawodowego użytkowania danego wynalazku bądź wynalazków (będących przedmiotem patentu). Pamięć jest to zdolność do rejestrowania i ponownego przywoływania wrażeń zmysłowych, skojarzeń czy informacji. Pamięć posiadają ludzie, niektóre zwierzęta oraz komputery. W każdym z tych przypadków proces zapamiętywania ma całkowicie inne podłoże fizyczne oraz podlega badaniom naukowym w oparciu o różne zestawy pojęć. 
 
Tranzystor – trójelektrodowy (rzadko czteroelektrodowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa urządzenia wywodzi się od słów transkonduktancja (transconductance) z "półprzewodnikowym" przyrostkiem -stor jak w warystor (varistor). Walter Houser Brattain (ur. 10 lutego 1902 w Amoy, Chiny, zm. 13 października 1987 w Seattle, USA) – fizyk amerykański, który wspólnie z Johnem Bardeenem i Williamem Shockleyem (kierownikiem projektu) opracował w 1947 r. tranzystor, za co otrzymał w 1956 r. Nagrodę Nobla w dziedzinie fizyki.
Wzmacniacz różnicowy - wzmacniacz elektryczny, którego napięcie wyjściowe jest zależne od różnicy napięć między wejściami wzmacniacza. W najprostszej wersji składa się z dwóch tranzystorów sprzężonych ze sobą za pośrednictwem rezystora Re. Rezystor ten stabilizuje punkty pracy obu tranzystorów i wymusza prąd Ie płynącego we wspólnym obwodzie, który jest równy sumie prądów obu tranzystorów. Przy dużej rezystancji Re prąd Ie nie zależy od natężeń prądów na wejściach. Historia
Pierwsze patenty na tranzystor zostały udzielone w latach 1925 do 1930 r. w Kanadzie, USA i Niemczech Juliusowi Edgarowi Lilienfeldowi. Jego projekty były zbliżone do tranzystora MOSFET, jednak ze względów technologicznych (głównie czystości materiałów) tranzystora nie udało się skonstruować - stało się to możliwe dopiero w drugiej połowie XX wieku.
Niemcy (Republika Federalna Niemiec, RFN; do traktatu pomiędzy RFN a Polską Rzecząpospolitą Ludową (1970) w Polsce stosowana była oficjalnie nazwa Niemiecka Republika Federalna, NRF; niem.: Deutschland lub Bundesrepublik Deutschland, BRD) – państwo federacyjne położone w Europie, będące członkiem Unii Europejskiej (UE), Unii Zachodnioeuropejskiej (UZE), G8, ONZ oraz NATO. Stolicą Niemiec jest Berlin (przed połączeniem z NRD – Bonn, obecnie noszące tytuł miasta federalnego). Językiem oficjalnym jest język niemiecki.
Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET (ang. Field Effect Transistor) – tranzystor, w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego. Pierwszy działający tranzystor (ostrzowy) został skonstruowany 16 grudnia 1947 r. w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories przez Johna Bardeena oraz Waltera Housera Brattaina. W następnym roku William Bradford Shockley z tego samego laboratorium opracował teoretycznie tranzystor złączowy, który udało się zbudować w 1950. John Bardeen, Walter Houser Brattain oraz William Bradford Shockley, za wynalazek tranzystora otrzymali Nagrodę Nobla z fizyki w 1956. Tranzystor ostrzowy to pierwszy działający typ tranzystora skonstruowany 16 grudnia 1947 r. w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories przez Johna Bardeena oraz Waltera Housera Brattaina. W następnym roku Bell wyprodukował pierwszą serię 3700 tranzystorów ostrzowych Type A, a Raytheon wprowadził do produkcji pierwszy typ komercyjny CK703. Tranzystory ostrzowe zostały bardzo szybko (w przeciągu paru lat) wyparte przez tranzystory złączowe (warstwowe), skonstruowane przez Williama Bradforda Shockleya z tego samego laboratorium. Mimo krótkiego czasu produkcji, tranzystory ostrzowe znalazły zastosowanie w aparatach słuchowych, radiowych, a nawet zbudowano na nich komputery (Uniwersytet w Manchesterze, 1953). Ostatnie tranzystory ostrzowe wycofano z produkcji prawdopodobnie jeszcze w latach 50 XXw.
Półprzewodniki - najczęściej substancje krystaliczne, których konduktywność (przewodnictwo właściwe) może być zmieniana w szerokim zakresie (np. 10-8 do 106 S/m (simensa na metr)) poprzez domieszkowanie, ogrzewanie, oświetlenie badź inne czynniki. Przewodnictwo typowego półprzewodnika plasuje się między przewodnictwem metali i dielektryków. W 1949 dwaj niemieccy fizycy (zaangażowani poprzednio w program radarowy) Herbert Mataré i Heinrich Welker pracując w paryskim oddziale firmy Westinghouse niezależnie zbudowali tranzystor (który nazwali transistronem). W 1957 William Bradford Shockley pracując w Shockley Semiconductor Laboratory zbudował złączowy tranzystor polowy JFET. W 1959 John Atalla i Davon Kahng, również z Bell Labs, zbudowali pierwszy tranzystor MOSFET, wykorzystując przy tym opracowany w tym samym laboratorium proces utleniania powierzchni kryształu krzemu. Stany Zjednoczone, Stany Zjednoczone Ameryki (ang.: United States, United States of America, US, USA) – państwo w Ameryce Północnej graniczące z Kanadą od północy, Meksykiem od południa, Oceanem Spokojnym od zachodu, Oceanem Arktycznym od północnego zachodu, Oceanem Atlantyckim od wschodu.
Azotek galu – (GaN) – nieorganiczny związek chemiczny, naturalnie nie istniejący uzyskiwany jedynie syntetycznie, stosowany głównie jako materiał półprzewodnikowy w optoelektronice, m.in. w laserach półprzewodnikowych (np. niebieski laser), diodach elektroluminescencyjnych, detektorach i przetwornikach elektroakustycznych. PolskaPierwszymi tranzystorami zbudowanymi w Polsce były tranzystory ostrzowe TP1-TP3 (od tranzystor punktowy, rok 1953). Ze względu na niestabilność parametrów i nietrwałość nie nadawały się one do praktycznych zastosowań. Pierwszymi wytwarzanymi w krótkich seriach germanowymi tranzystorami stopowymi były TC11-TC15, wyprodukowane do 1959 w liczbie kilkunastu tysięcy egzemplarzy. Również i one nie znalazły zastosowania przemysłowego. Produkcja na skalę przemysłową została uruchomiona w roku 1960 przez Tewę. Były to germanowe tranzystory stopowe małej częstotliwości serii TG1-TG5, i TG70. Rok później uruchomiono produkcję tranzystorów średniej częstotliwości TG10 i TG20 oraz serii TG50. Mikroprocesor – układ cyfrowy wykonany jako pojedynczy układ scalony o wielkim stopniu integracji zdolny do wykonywania operacji cyfrowych według dostarczonego ciągu instrukcji.
Węglik krzemu - inaczej karborund - syntetyczny materiał ceramiczny z grupy węglików o ogólnym wzorze SiC. Istnieją jego dwie odmiany krystaliczne α i β. Znaczenie
Wynalezienie tranzystora uważa się za przełom w elektronice, zastąpił on bowiem duże, zawodne i energochłonne lampy elektronowe, dając początek coraz większej miniaturyzacji przyrządów i urządzeń elektronicznych, zwłaszcza że dzięki mniejszemu poborowi mocy można było zmniejszyć też współpracujące z tranzystorami elementy bierne. W układach scalonych o najwyższej skali integracji (na przykład w mikroprocesorach) ich liczba przekracza miliard. IGBT (ang. Insulated Gate Bipolar Transistor) - tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Jest to element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów.
Uniwersytet Techniczny w Delft (holenderski: Technische Universiteit Delft]) (w skrócie TU Delft, inne spotykane nazwy związane z polską nomenklaturą: Uniwersytet Technologiczny/(Technologii) (w) Delft, Delfijski Uniwersytet Technologiczny/(Technologii, Techniczny), Technologiczny/(Technologii, Techniczny) Uniwersytet Delfijski/((w) Delft), Politechnika Delfijska/((w) Delft) - największa i najstarsza uczelnia techniczna w Holandii położona w mieście Delft. Kształci ponad 13 000 studentów, a w swoich szeregach posiada ponad 2 100 naukowców (w tym ponad 200 profesorów). Jest m.in. członkiem IDEA League. TU Delft plasuje się w setce najlepszych uniwersytetów technicznych na świecie. czytaj dalej: [2], [3]
Czy wiesz że...? beta Warystor (ang. varistor) - półprzewodnikowy podzespół elektroniczny (rezystor), o nieliniowej charakterystyce rezystancji, zależnej od napięcia elektrycznego. Dla małych napięć wykazuje on dużą rezystancję, gdy przekroczy ono pewną wartość, charakterystyczną dla danego typu warystora, jego rezystancja szybko maleje, z początkowych setek kiloomów do zaledwie kilkunastu omów.
Lustro prądowe (układ powielania prądu) to układ elektroniczny, którego zadaniem jest wymuszanie w gałęzi obwodu elektrycznego prądu o natężeniu takim samym jak prąd odniesienia.
Dioda – dwuzaciskowy element elektroniczny, który przewodzi prąd elektryczny w sposób niesymetryczny, to jest bardziej w jednym kierunku niż w przeciwnym. Historycznie pierwszą była dioda próżniowa, mająca konstrukcję lampy próżniowej z dwoma elektrodami - anodą i katodą. Obecnie najczęściej spotykanym rodzajem są diody półprzewodnikowe, zbudowane z dwóch warstw odmiennie domieszkowanego półprzewodnika, tworzących razem złącze p-n. Diody te mogą być rozpatrywane jako elektroniczna wersja zaworu zwrotnego, ponieważ istotą ich działania jest przewodzenie prądu w jednym kierunku (zwanym kierunkiem przewodzenia) i blokowanie jego przepływu w drugim. Właściwość tę wykorzystuje się do prostowania napięcia przemiennego oraz demodulacji sygnałów w odbiornikach radiowych.
Julius Edgar Lilienfeld (ur. 18 kwietnia 1882 we Lwowie zm. 28 sierpnia 1963) niemiecki fizyk pochodzenia żydowskiego, twórca tranzystora polowego (podstawowego elementu współczesnych układów cyfrowych).
Nanometr (symbol: nm) – podwielokrotność metra, podstawowej jednostki długości w układzie SI. Jest to jedna miliardowa metra czyli jedna milionowa milimetra. Jeden nanometr równa się zatem 10−9 m. W notacji naukowej można go zapisać jako 1 E-9 m oznaczający 0,000 000 001 × 1 m. Rzadko stosowana jest również stara nazwa milimikron
Wzmacniacze selektywne służą wzmacnianiu sygnałów w ściśle określonym paśmie częstotliwości przy jednoczesnym dużym tłumieniu sygnałów poza pasmem.
Tranzystor jednozłączowy UJT (ang. unijunction transistor), zwany również diodą dwubazową – półprzewodnikowy element przełączający zawierający jedno złącze p-n i 3 elektrody (Emiter, Baza 1, Baza 2). Powyższa treść oraz zamieszczone w niej powiązane definicje/pojęcia - udostępniane są na licencji Creative Commons: uznanie autorstwa, na tych samych warunkach, z możliwością obowiązywania dodatkowych ograniczeń.
Zobacz szczegółowe informacje o warunkach korzystania
Wszystkie hasła znajdujące się w naszym mirrorze Wikipedii mają znaczenie informacyjne i edukacyjne. Nie mogą być traktowane jako porady. |
